By FLOYD.
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Los FIGURA 1–15 Átomo de impureza pentavalente en una estructura de cristal de silicio. Se muestra un átomo de impureza de antimonio (Sb) en el centro. El electrón extra proveniente del átomo de Sb se convierte en electrón libre. 14 ◆ I NTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES ᮣ FIGURA 1–16 Átomo de impureza trivalente en una estructura de cristal de silicio. Un átomo de impureza de boro (B) se muestra en el centro. Si Hueco del átomo de B Si B Si Si huecos son los portadores mayoritarios en un material tipo p.
En ese punto, la unión está en equilibrio y la región de empobrecimiento está completa porque la difusión ha cesado. Existe un gradiente de energía, a través de la región de empobrecimiento, que actúa como una “colina de energía” que un electrón en la región n debe escalar para llegar a la región p. P OL ARIZACIÓN Energía Energía Portadores minoritarios Portadores mayoritarios Banda de conducción Banda de conducción Banda de valencia Banda de valencia Portadores mayoritarios 0 región p Portadores minoritarios unión pn región n (a) En el instante de la formación de la unión ᮡ DE UN DIODO 0 región p región n unión pn y región de empobrecimiento (b) En equilibrio FIGURA 1–18 Diagrama de energía que ilustra la formación de la unión pn y la región de empobrecimiento.
Dos tipos de materiales semiconductores extrínsecos (impuros), el tipo n y el tipo p, son los bloques de construcción fundamentales en la mayoría de los tipos de dispositivos electrónicos. Al terminar esta sección, usted será capaz de: ◆ Describir las propiedades de semiconductores tipo n y tipo p ◆ Definir dopado ◆ Explicar cómo se forman los semiconductores tipo n ◆ Explicar cómo se forman los semiconductores tipo p ◆ Describir un portador de mayoritario y un portador minoritario Dopado La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente mediante la adición controlada de impurezas al material semiconductor intrínseco (puro).